采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7，"19+"：1752，"20+"：272367，"MI+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2626，"17+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7630
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7，"19+"：1752，"20+"：272367，"MI+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5561，"08+"：3000，"09+"：1196，"10+"：121500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1969}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2520，"07+"：216000，"08+"：316500，"09+"：1450，"10+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.25mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1431-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W€15W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
