采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：497，"MI+"：2015}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
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功率：91W
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连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA170N06AT4H
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：2.6V@1mA
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栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA170N06AT4H
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA170N06AT4H
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
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连续漏极电流：170A
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导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
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输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA170N06AT4H
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA170N06AT4H
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：170A
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：2980pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
连续漏极电流：170A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：170A
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
输入电容：2980pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：497，"MI+"：2015}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：497，"MI+"：2015}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：497，"MI+"：2015}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C02NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：91W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@15V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
