品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@120µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4615R-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":127500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6834,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50TM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":127500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD850N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1315pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@120µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB6N40CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:73W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":615000,"16+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4612R-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6436-TL-E
工作温度:150℃
功率:1.5W
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@120µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":322}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6834,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50TM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":21450,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD850N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@600µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1315pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: