品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.9W€214W
输入电容:6900pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A€224A
栅极电荷:112nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2V@330µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.9W€214W
输入电容:6900pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A€224A
栅极电荷:112nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2V@330µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NLT1G
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.9W€214W
输入电容:6900pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A€224A
栅极电荷:112nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2V@330µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.9W€214W
输入电容:6900pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A€224A
栅极电荷:112nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2V@330µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€214W
阈值电压:2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@40V
连续漏极电流:30A€224A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: