采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1277}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8832
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：34A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1277}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8832
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：34A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB8832
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功率：300W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：34A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
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功率：300W
输入电容：11400pF@15V
ECCN：EAR99
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工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：34A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：34A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：34A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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