品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8050
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22610pF@15V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8050
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22610pF@15V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2742}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP260N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2742}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP260N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8050
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22610pF@15V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":149}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8050
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22610pF@15V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2742}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP260N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP260N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP260N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
输入电容:26110pF@20V
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:338nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:420A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2742}
规格型号(MPN):FCP260N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
输入电容:2500pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:管件
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:15A
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:338nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26110pF@20V
连续漏极电流:420A
类型:N沟道
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
输入电容:26110pF@20V
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:338nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:420A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
输入电容:26110pF@20V
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:338nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:420A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8050
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22610pF@15V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8050
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22610pF@15V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8050
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22610pF@15V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@55A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: