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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：141000，"09+"：44907}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5561，"08+"：3000，"09+"：1196，"10+"：121500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2520，"07+"：216000，"08+"：316500，"09+"：1450，"10+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.25mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2520，"07+"：216000，"08+"：316500，"09+"：1450，"10+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.25mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：141000，"09+"：44907}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5561，"08+"：3000，"09+"：1196，"10+"：121500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5561，"08+"：3000，"09+"：1196，"10+"：121500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2520，"07+"：216000，"08+"：316500，"09+"：1450，"10+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.25mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：848，"12+"：4500，"9999"：10}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.25mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：9.1A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：900mW
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：6mΩ@14A，10V
输入电容：2310pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：9.1A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：900mW
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：6mΩ@14A，10V
输入电容：2310pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：9.1A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：900mW
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：6mΩ@14A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：2310pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD4169FT1G
工作温度：-25℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.25mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
