品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
输入电容:2880pF@25V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A€61A
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:16mΩ@61A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409L-F085
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:3360pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB2552
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
导通电阻:36mΩ@16A,10V
输入电容:2800pF@25V
栅极电荷:51nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:5A€37A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP2552
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
包装方式:管件
导通电阻:36mΩ@16A,10V
输入电容:2800pF@25V
栅极电荷:51nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:5A€37A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):RFP70N06
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
栅极电荷:156nC@20V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:14mΩ@70A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP70N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:156nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@70A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP70N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:156nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@70A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: