品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP9N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP9N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":365}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP9N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:5V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N-F102
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP9N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
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包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP9N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP9N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA16N50LDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1945pF@25V
连续漏极电流:16.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@8.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":365}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":281}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":609,"22+":831}
规格型号(MPN):FCH22N60N
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:205W
输入电容:1950pF@100V
导通电阻:165mΩ@11A,10V
连续漏极电流:22A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP9N90C
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2730pF@25V
功率:205W
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
连续漏极电流:8A
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP030N06B-F102
类型:N沟道
功率:205W
漏源电压:60V
输入电容:8030pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:99nC@10V
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP9N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N-F102
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N-F102
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8030pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: