采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7179}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D6N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G-UIL5
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NLT1G
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功率：3.8W€167W
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G-UIL5
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功率：3.8W€167W
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ECCN：EAR99
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输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLTT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
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连续漏极电流：36A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@25V
连续漏极电流：34A€225A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7179}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D6N06CLTWG
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功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
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输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7179}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D6N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G-UIL5
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@25V
连续漏极电流：34A€225A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D6N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
