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    品牌: ON SEMI
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:2100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C612NT1G-TE
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C612NT1G-TE

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4830pF@25V

    连续漏极电流:35A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86363-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86363-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86363-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:169nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6413ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75545S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:235nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C404NWFET1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C404NWFET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C404NWFET1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@25V

    连续漏极电流:53A€378A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.70mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB390N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@75V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@27A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CTXG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CTXG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€273W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9281pF@25V

    连续漏极电流:51A€430A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4065pF@50V

    连续漏极电流:16A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4065pF@50V

    连续漏极电流:16A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0065N40 起订102个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0065N40 起订102个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1532,"22+":1796,"23+":3287,"MI+":1938}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0065N40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:296nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15900pF@25V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:102
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":31714,"MI+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5426NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:215W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5800pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:228
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2552
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2552

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP2552

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:5A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4840pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75345P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75345P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75345P3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:325W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:275nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@75A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403-F085T6
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403-F085T6

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9403-F085T6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€159.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6985pF@25V

    连续漏极电流:50A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75645P3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:238nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3790pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:99
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C612NWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C612NWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C612NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@25V

    连续漏极电流:34A€225A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.65mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFP50N06
    onsemi Mosfet场效应管 RFP50N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFP50N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2020pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    加购:25
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":3175}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD32N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€93.75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1336
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75545S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:235nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86361-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86361-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86361-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:188nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12800pF@25V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订124个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订124个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":85,"20+":1350,"23+":3454}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:124
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639G3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639G3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75639G3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@56A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:103
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0065N40
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0065N40

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0065N40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:296nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15900pF@25V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB110N15A
    onsemi Mosfet场效应管 FDB110N15A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB110N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4510pF@75V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@92A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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