品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI7N60TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€142W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI7N60TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€142W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB7N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€142W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF400N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1580pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI7N60TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€142W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1600,"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB7N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€142W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1600,"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB7N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€142W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":685}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB7N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€142W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1600,"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB7N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€142W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1600,"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB7N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€142W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: