采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：21.9W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU3N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：565pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU3N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：565pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：21.9W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：18916，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8884
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：685pF@15V
连续漏极电流：9A€15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：18916，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8884
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：685pF@15V
连续漏极电流：9A€15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3N60CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1800，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1800，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
输入电容：585pF@100V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
功率：39W
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
输入电容：585pF@100V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
功率：39W
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8884
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：685pF@15V
连续漏极电流：9A€15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8884
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：685pF@15V
连续漏极电流：9A€15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
