品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4000,"18+":7000,"22+":720,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:73W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5402T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD6N40CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8051L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4645}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD6N40CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4312,"22+":21701}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8051L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8051L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5040}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU9N25TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4374,"MI+":1059}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU9N25TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8051L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8051L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD6N40CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8051L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB6N40CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:73W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: