首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌: ON SEMI
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    栅极电荷: 16nC@10V
    当前匹配商品:70+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF02N60ZH 起订1287个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF02N60ZH 起订1287个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":821100,"15+":800,"16+":4500,"9999":1100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF02N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:325pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4927NT1G 起订1394个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4927NT1G 起订1394个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":22842}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4927NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:920mW€20.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:913pF@15V

    连续漏极电流:7.9A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF02N60ZH 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF02N60ZH 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":821100,"15+":800,"16+":4500,"9999":1100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF02N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:325pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4927NT1G 起订1394个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4927NT1G 起订1394个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":100,"11+":845,"19+":4500,"20+":16500,"21+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4927NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:920mW€20.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:913pF@15V

    连续漏极电流:7.9A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4928NTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4928NTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4928NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€20.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:913pF@15V

    连续漏极电流:7.3A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N50ZT4G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N50ZT4G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1475,"12+":18761}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N50ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:58W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:329pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N50ZT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N50ZT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1475,"12+":18761}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N50ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:58W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:329pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧