品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€300W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@40V
连续漏极电流:41A€335A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@40V
连续漏极电流:10.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86324
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€300W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@40V
连续漏极电流:41A€335A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7005pF@40V
连续漏极电流:24A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS002N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@40V
连续漏极电流:29A€229A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7005pF@40V
连续漏极电流:24A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@40V
连续漏极电流:10.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:25A€130A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:25A€130A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7005pF@40V
连续漏极电流:24A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2D5N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@68A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC010N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€52W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@40V
连续漏极电流:11A€51A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@16A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC008N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3880}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8040pF@40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: