品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N40TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT4N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG315N
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5752}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N40TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000,"23+":40000,"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF2N70
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N40TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT4N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT4N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N40TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: