采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF400N80ZL1-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：35.7W
阈值电压：4.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：34500，"17+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF11N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF11N60T
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4119NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：35.7W
阈值电压：4.5V@1.1mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7，"19+"：1752，"20+"：272367，"MI+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：0，"22+"：0}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N06LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF11N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：0，"22+"：0}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2626，"17+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7630
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4037-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP11N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7，"19+"：1752，"20+"：272367，"MI+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5561，"08+"：3000，"09+"：1196，"10+"：121500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4120NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@26A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2520，"07+"：216000，"08+"：316500，"09+"：1450，"10+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.25mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
