品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF27N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF27N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":301421,"19+":20000,"MI+":5000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4.5V@1.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1225pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF27N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF27N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:195W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@1000V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":169,"21+":750}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4.5V@1.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1225pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6682
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:31nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":169,"21+":750}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4.5V@1.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1225pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:195W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@1000V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":301421,"19+":20000,"MI+":5000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4.5V@1.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1225pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":301421,"19+":20000,"MI+":5000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4.5V@1.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1225pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:195W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@1000V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:195W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@1000V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4.5V@1.4mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1225pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:195W
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:800V
输入电容:2350pF@1000V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF27N25
栅极电荷:65nC@10V
输入电容:2450pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:250V
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
导通电阻:110mΩ@7A,10V
功率:55W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4.5V@1.4mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1225pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: