采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1000，"21+"：613，"22+"：179，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI4N90TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2.1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1000，"21+"：613，"22+"：179，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI4N90TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2.1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI4N90TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2.1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1000，"21+"：613，"22+"：179，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI4N90TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2.1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
功率：3.13W€140W
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2200pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@5V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI4N90TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2.1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI4N90TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2.1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI4N90TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2.1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
