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    NPT
    栅极电荷
    规格型号(MPN)
    行业应用
    品牌: ON SEMI
    类型: NPT
    栅极电荷: 100nC
    规格型号(MPN): HGT1S10N120BNST
    当前匹配商品:2
    商品信息
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    onsemi IGBT HGT1S10N120BNST 起订8000个装
    onsemi IGBT HGT1S10N120BNST 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):HGT1S10N120BNST

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):80A

    关断延迟时间:165ns

    关断损耗:800µJ

    开启延迟时间:23ns

    集电极截止电流(Ices):1200V

    栅极电荷:100nC

    类型:NPT

    集电极电流(Ic):2.7V@15V,10A

    导通损耗:320µJ

    工作温度:-55℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT HGT1S10N120BNST 起订4000个装
    onsemi IGBT HGT1S10N120BNST 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):HGT1S10N120BNST

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):80A

    关断延迟时间:165ns

    关断损耗:800µJ

    开启延迟时间:23ns

    集电极截止电流(Ices):1200V

    栅极电荷:100nC

    类型:NPT

    集电极电流(Ic):2.7V@15V,10A

    导通损耗:320µJ

    工作温度:-55℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

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