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    品牌: ON SEMI
    类型: 1个P沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY100PZ

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA

    输入电容:100pF@10V

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    类型:1个P沟道

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC510P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC510P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC510P

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.86nF@10V

    栅极电荷:116nC@4.5V

    导通电阻:8mΩ@12A,4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:41W€2.3W

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    类型:1个P沟道

    连续漏极电流:12A€18A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.1W

    栅极电荷:20nC@4.5V

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC640P 起订89个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC640P 起订89个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:18+

    规格型号(MPN):FDC640P

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:13nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:890pF@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    类型:1个P沟道

    导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC510P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC510P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC510P

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.86nF@10V

    栅极电荷:116nC@4.5V

    导通电阻:8mΩ@12A,4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:41W€2.3W

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    类型:1个P沟道

    连续漏极电流:12A€18A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}

    规格型号(MPN):FDS6576

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    导通电阻:14mΩ@4.5V,11A

    栅极电荷:60nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    输入电容:4.044nF@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT5P10TF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT5P10TF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT5P10TF

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:8.2nC@10V

    阈值电压:4V@250μA

    导通电阻:1.05Ω@10V,500mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:1A

    输入电容:250pF@25V

    类型:1个P沟道

    漏源电压:100V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    输入电容:135pF@15V

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN336P 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN336P 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN336P

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:330pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A

    栅极电荷:5nC@4.5V

    功率:500mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN336P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN336P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN336P

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:330pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A

    栅极电荷:5nC@4.5V

    功率:500mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0605

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    功率:360mW

    连续漏极电流:180mA

    栅极电荷:2.5nC@10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:79pF@25V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    输入电容:135pF@15V

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT5P10TF 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT5P10TF 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT5P10TF

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:8.2nC@10V

    阈值电压:4V@250μA

    导通电阻:1.05Ω@10V,500mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:1A

    输入电容:250pF@25V

    类型:1个P沟道

    漏源电压:100V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN336P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN336P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN336P

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:330pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A

    栅极电荷:5nC@4.5V

    功率:500mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    漏源电压:500V

    功率:2.5W€50W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    栅极电荷:23nC@10V

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    阈值电压:5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    输入电容:660pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC510P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC510P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC510P

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.86nF@10V

    栅极电荷:116nC@4.5V

    导通电阻:8mΩ@12A,4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:41W€2.3W

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    类型:1个P沟道

    连续漏极电流:12A€18A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY100PZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY100PZ

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA

    输入电容:100pF@10V

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    类型:1个P沟道

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.1W

    栅极电荷:20nC@4.5V

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6637

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:11.6mΩ@10V,14A

    漏源电压:35V

    功率:3.1W€57W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:13A€55A

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:2.37nF@20V

    栅极电荷:63nC@10V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV304P 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV304P 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV304P

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:460mA

    漏源电压:25V

    导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    输入电容:63pF@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}

    规格型号(MPN):FDS6576

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    导通电阻:14mΩ@4.5V,11A

    栅极电荷:60nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    输入电容:4.044nF@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    输入电容:135pF@15V

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN338P 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN338P 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN338P

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:500mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:451pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    漏源电压:20V

    导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A

    类型:1个P沟道

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    输入电容:135pF@15V

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:900mA

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6637

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:11.6mΩ@10V,14A

    漏源电压:35V

    功率:3.1W€57W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:13A€55A

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:2.37nF@20V

    栅极电荷:63nC@10V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    功率:1.6W

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    输入电容:779pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC640P 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC640P 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC640P

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:13nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:890pF@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    类型:1个P沟道

    导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订41个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订41个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0605

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    功率:360mW

    连续漏极电流:180mA

    栅极电荷:2.5nC@10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:79pF@25V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    输入电容:135pF@15V

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:900mA

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC634P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC634P

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    导通电阻:80mΩ@3.5A,4.5V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    功率:1.6W

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    输入电容:779pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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