采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.36nF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.2nC@4.5V
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：2.2nC@4.5V
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.36nF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1.36nF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
栅极电荷：40nC@10V
功率：900mW
连续漏极电流：6.9A
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道
导通电阻：900mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：21nC@5V
输入电容：1.233nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.6A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.6A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：21nC@5V
输入电容：1.233nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：31nC@5V
输入电容：2.25nF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道
导通电阻：900mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：21nC@5V
输入电容：1.233nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~+175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~+175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD4152PT1G
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道
导通电阻：260mΩ@4.5V，880mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~+175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
功率：900mW
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9933A
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：75mΩ@3.8A，4.5V
功率：900mW
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道
反向传输电容：18pF@10V
导通电阻：280mΩ@4.5V，830mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
