采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.39W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：7960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.39W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7244，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.39W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7244，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4508NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1993，"10+"：414，"13+"：60，"21+"：94}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4508NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：8000，"MI+"：5575}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.39W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：8000，"MI+"：5575}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.39W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：8000，"MI+"：5575}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.39W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4508NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：9540，"04+"：2500，"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@16V
连续漏极电流：6.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4508NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：9540，"04+"：2500，"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@16V
连续漏极电流：6.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.39W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
