品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€23W
阈值电压:2.2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:10.5A€29A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
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功率:3W€24W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:11A€36A
类型:2N沟道(双)
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功率:3W€24W
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工作温度:-55℃~175℃
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类型:2N沟道(双)
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漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€23W
阈值电压:2.2V@20µA
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输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:10.5A€29A
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导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
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包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
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功率:3W€24W
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包装方式:卷带(TR)
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导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
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规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€23W
阈值电压:2.2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:10.5A€29A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€23W
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输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:10.5A€29A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
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规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€23W
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输入电容:420pF@25V
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导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€23W
阈值电压:2.2V@20µA
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输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:10.5A€29A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€23W
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输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:10.5A€29A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€23W
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导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€23W
阈值电压:2.2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€23W
阈值电压:2.2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A€36A
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导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@20µA
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
功率:3W€24W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A€36A
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导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@20µA
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C470NLT1G
功率:3W€24W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A€36A
输入电容:590pF@25V
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@20µA
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