采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：912}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTL4502NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
