采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2201，"08+"：6490，"10+"：6061}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD2C02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5.2A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3102CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A€3.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3102CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A€3.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2866，"24+"：2673}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHC5513T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2.9A€2.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD2C02R2SG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5.2A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3102CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A€3.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2201，"08+"：6490，"10+"：6061}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD2C02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5.2A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2201，"08+"：6490，"10+"：6061}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD2C02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5.2A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
