品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@10V
连续漏极电流:2.6A€2.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1034CZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.8A€2.6A
类型:N和P沟道
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":15228,"09+":2080578,"10+":216000,"9999":3497,"MI+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3127CT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9pF@15V
连续漏极电流:160mA€140mA
类型:N和P沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":75062}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3183CZTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@10V
连续漏极电流:2.6A€2.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:68mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":5246,"19+":7975}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.5pF@15V
连续漏极电流:220mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.5pF@15V
连续漏极电流:220mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.5pF@15V
连续漏极电流:220mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@10V
连续漏极电流:2.6A€2.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@10V
连续漏极电流:2.6A€2.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.5pF@15V
连续漏极电流:220mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":15228,"09+":2080578,"10+":216000,"9999":3497,"MI+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3127CT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9pF@15V
连续漏极电流:160mA€140mA
类型:N和P沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD1155LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD1155LT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:N和P沟道
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD1155LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD1155LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.5pF@15V
连续漏极电流:220mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1034CZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.8A€2.6A
类型:N和P沟道
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8928A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:5.5A€4A
类型:N和P沟道
导通电阻:30mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:30V€20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD1155LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存: