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    品牌: ON SEMI
    功率: 500mW
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS351AN 起订33个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS351AN 起订33个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS351AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:145pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订23个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订23个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订13个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN361BN 起订986个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN361BN 起订986个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN361BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:193pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订13个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN357N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN352AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN360P 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN360P 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN360P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN357N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN352AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS356AP-NB8L005A 起订1897个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS356AP-NB8L005A 起订1897个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":80589}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS356AP-NB8L005A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@5V

    包装方式:托盘

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN358P 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN358P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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