品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
功率:500mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"09+":2332,"22+":48000}
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"03+":59600,"04+":48000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
功率:500mW
输入电阻:10千欧
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
功率:500mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"06+":40000,"18+":8000,"22+":8000}
输入电阻:22千欧
电阻比:22千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
功率:500mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):60 @ 5mA,10V
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:2个NPN-预偏置
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:2个NPN-预偏置
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:2个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
输入电阻:22千欧
电阻比:22千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
功率:500mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):60 @ 5mA,10V
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
电阻比:4.7千欧
功率:500mW
输入电阻:2.2千欧
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,10V€80@5mA,10V
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"09+":52000}
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
功率:500mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
电阻比:4.7千欧
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
功率:500mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:2个NPN-预偏置
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: