品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:80Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:16pF@20V
功率:350mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:1V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:8mA@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:250Ω
类型:P通道
功率:350mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:1V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:剪切带(CT)
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:80Ω
类型:N通道
输入电容:16pF@20V
功率:350mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:1V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:8mA@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:7pF@15V
功率:350mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:500mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:1mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
功率:350mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:300mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:200µA@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:350mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:300mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:200µA@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:30Ω
类型:N通道
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:3V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:20mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:125Ω
类型:P通道
功率:350mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:3V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:7mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
功率:350mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:300mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:200µA@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:7pF@15V
功率:350mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:500mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:1mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:7pF@15V
功率:350mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:500mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:1mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
生产批次:{"07+":976,"MI+":2000}
销售单位:个
漏源导通电阻:30Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:3V@1µA
工作温度:-65℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:20mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:350mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: