采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS138L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：65450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
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输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS123
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功率：350mW
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输入电容：14pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
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输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
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输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
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输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
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连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
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连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：65450}
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规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
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连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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