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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：7.5 nC @ 10 V
输入电容：250 pF @ 25 V
连续漏极电流：1.7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：350 毫欧 @ 850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：7.5 nC @ 10 V
输入电容：250 pF @ 25 V
连续漏极电流：1.7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：350 毫欧 @ 850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：1.7A（Tc）
导通电阻：350 毫欧 @ 850mA，10V
功率：2W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：7.5 nC @ 10 V
输入电容：250 pF @ 25 V
漏源电压：100V
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10TF
连续漏极电流：1.7A（Tc）
导通电阻：350 毫欧 @ 850mA，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：2W（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5 nC @ 10 V
输入电容：250 pF @ 25 V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
