采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：25455，"20+"：1633，"23+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3604S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@15V
连续漏极电流：13A€23A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@15V
连续漏极电流：30A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@15V
连续漏极电流：30A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：42441}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3383-TL-H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：800mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@1.5A，2.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@15V
连续漏极电流：30A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7608S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：12A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3669S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：27280，"MI+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS9620S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：7.5A€10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7620S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：10.1A€12.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4433，"07+"：49500，"08+"：1500，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3606S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@15V
连续漏极电流：13A€27A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3669S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3669S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7608S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：12A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1831，"24+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3604S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@15V
连续漏极电流：13A€23A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3157NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：240，"19+"：642}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3669S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3664S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@15V
连续漏极电流：13A€25A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3157NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3157NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3664S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@15V
连续漏极电流：13A€25A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
