品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":116000,"15+":1431,"16+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT01N60T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8672S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":42200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:528pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":235,"23+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ8203
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流:3.4A€2.6A
导通电阻:110mΩ@3A,10V
漏源电压:100V€80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86141
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:934pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V
栅极电荷:26nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":848,"22+":2375}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8876
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@15V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":937,"23+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6680AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6680A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: