品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
栅极电荷:124nC@10V
功率:2.5W
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
栅极电荷:124nC@10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:23+
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":78,"19+":2500}
规格型号(MPN):FDS8638
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5680pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:150mΩ@3A,10V
类型:P沟道
功率:2.5W
栅极电荷:22nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:27nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
输入电容:1872pF@20V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2115
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"24+":32300}
规格型号(MPN):NDS9407
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:150mΩ@3A,10V
类型:P沟道
功率:2.5W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9400A
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:130mΩ@1A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:3.5nC@5V
功率:2.5W
输入电容:205pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6680A
栅极电荷:23nC@5V
连续漏极电流:12.5A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@12.5A,10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4435BZ
输入电容:1845pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
功率:2.5W
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":4645}
规格型号(MPN):FDS8882
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:20mΩ@9A,10V
输入电容:940pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: