品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":571,"19+":149}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP6030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05LSM9A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:2V@250mA
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@5V,16A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4370,"18+":6684,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":1000,"03+":1670,"04+":1567}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP22N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":1800,"02+":1236,"03+":160,"MI+":50}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP22N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:管件
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@11A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":2400,"03+":800,"04+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB22N06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4370,"18+":6684,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":14428,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4370,"18+":6684,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4370,"18+":6684,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05LSM9A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:2V@250mA
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@5V,16A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05LSM9A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:2V@250mA
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@5V,16A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":14428,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05LSM9A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:2V@250mA
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@5V,16A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":14428,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP7030BL
工作温度:-65℃~175℃
功率:60W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1760pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4370,"18+":6684,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05LSM9A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:2V@250mA
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@5V,16A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05LSM9A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:2V@250mA
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@5V,16A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: