品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
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漏源电压:800V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
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类型:N沟道
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漏源电压:800V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
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类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:79.5nC@10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":2400,"03+":800,"04+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB22N06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
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输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:79.5nC@10V
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输入电容:3850pF@20V
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类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
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类型:N沟道
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漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
输入电容:3850pF@20V
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类型:P沟道
工作温度:150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
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功率:60W
栅极电荷:79.5nC@10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
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栅极电荷:15.5nC@10V
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输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
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输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB22N06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
栅极电荷:15.5nC@10V
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":2400,"03+":800,"04+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB22N06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB22N06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: