品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53BG
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX54CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8447L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53BG
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53BG
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BDX53CG
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:65W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存: