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    品牌: ON SEMI
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    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订12500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订12500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BDX53CG 起订2500个装
    onsemi 达林顿管 BDX53CG 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BDX53CG

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:65W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BDX53BG 起订10个装
    onsemi 达林顿管 BDX53BG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BDX53BG

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:65W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BDX53CG 起订500个装
    onsemi 达林顿管 BDX53CG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BDX53CG

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:65W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BDX54CG 起订1000个装
    onsemi 达林顿管 BDX54CG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):BDX54CG

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:65W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A

    包装方式:管件

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8447L-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8447L-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8447L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1970pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BDX53BG 起订5000个装
    onsemi 达林顿管 BDX53BG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BDX53BG

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:65W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BDX53BG 起订2个装
    onsemi 达林顿管 BDX53BG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BDX53BG

    集射极击穿电压(Vceo):80V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:65W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BDX53CG 起订500个装
    onsemi 达林顿管 BDX53CG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BDX53CG

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:65W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BDX53CG 起订75个装
    onsemi 达林顿管 BDX53CG 起订75个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BDX53CG

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:65W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订40个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订40个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 BDX53CG 起订250个装
    onsemi 达林顿管 BDX53CG 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BDX53CG

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:65W

    集电集截止电流(Icbo):500µA

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@12mA,3A

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

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