生产批次：{"22+"：5005，"23+"：4172，"MI+"：1351}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMD4N03R2G

工作温度：-55℃~150℃

功率：2W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：400pF@20V

连续漏极电流：4A

类型：2N沟道（双）

导通电阻：60mΩ@4A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDT4N50NZU

工作温度：-55℃~150℃

功率：2W

阈值电压：5.5V@250µA

栅极电荷：9.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：476pF@25V

连续漏极电流：2A

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@1A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：2500，"04+"：17500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMC1300R2

工作温度：-65℃~150℃

功率：2W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：300pF@20V

连续漏极电流：2.2A€1.8A

类型：N和P沟道

导通电阻：90mΩ@3A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2720000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：EFC6602R-A-TR

工作温度：150℃

功率：2W

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

类型：2N沟道（双）共漏

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FQT5P10TF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：8.2nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：250pF@25V

连续漏极电流：1A

类型：1个P沟道

导通电阻：1.05Ω@10V，500mA

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP127G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP122G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6387G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP107G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS8949

工作温度：-55℃~150℃

功率：2W

阈值电压：3V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：955pF@20V

连续漏极电流：6A

类型：2N沟道（双）

导通电阻：29mΩ@6A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FQT7N10LTF

工作温度：-55℃~150℃

功率：2W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：6nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：290pF@25V

连续漏极电流：1.7A

类型：N沟道

导通电阻：350mΩ@850mA，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：127500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G

工作温度：-55℃~150℃

功率：2W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：950pF@24V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：32mΩ@6A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FQT5P10TF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：8.2nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：250pF@25V

连续漏极电流：1A

类型：1个P沟道

导通电阻：1.05Ω@10V，500mA

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：3000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDTL01N60ZT1G

工作温度：-55℃~150℃

功率：2W

阈值电压：4.5V@50µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：4.9nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：92pF@25V

连续漏极电流：250mA

类型：N沟道

导通电阻：15Ω@400mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：40，"07+"：114，"08+"：582，"10+"：350，"11+"：258，"12+"：224，"16+"：369，"22+"：39，"MI+"：250}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP126G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJF6388G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6387G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP117G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP102G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP121TU

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：127500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G

工作温度：-55℃~150℃

功率：2W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：950pF@24V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：32mΩ@6A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP122G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP101G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP107G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP122G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP111G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6387G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1