采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT7N10TF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
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功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
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输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：FQT7N10TF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
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输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10TF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10TF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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