品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1435-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1435-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1435-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1435-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1027P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:800mW
阈值电压:1.3V @ 250µA
栅极电荷:6nC @ 4.5V
输入电容:435pF @ 10V
连续漏极电流:3A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:120 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1027P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1027P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1027P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1027P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:800mW
阈值电压:1.3V @ 250µA
栅极电荷:6nC @ 4.5V
输入电容:435pF @ 10V
连续漏极电流:3A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:120 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:800mW
阈值电压:1.3V @ 250µA
栅极电荷:6nC @ 4.5V
输入电容:435pF @ 10V
连续漏极电流:3A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:120 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: