品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB2308PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@10V
类型:2P沟道(双)共漏
导通电阻:36mΩ@5.7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC2512-P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@75V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:425mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4166NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4939NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8030
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4166NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB2307NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB3900AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@13V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB2308PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@10V
类型:2P沟道(双)共漏
导通电阻:36mΩ@5.7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4801NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2201pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB2307NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB2308PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@10V
类型:2P沟道(双)共漏
导通电阻:36mΩ@5.7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4166NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4150,"21+":4045}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS7N03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":11000,"21+":3496,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC2512-P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@75V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:425mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB2308PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3030pF@10V
类型:2P沟道(双)共漏
导通电阻:36mΩ@5.7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7208S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@15V
连续漏极电流:12A€16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB2307NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":27200}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6602-TL-E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4801NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2201pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7208S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@15V
连续漏极电流:12A€16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8030
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8030
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7208S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@15V
连续漏极电流:12A€16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":97500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4801NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2201pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6602-TL-E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB3900AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@13V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4801NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2201pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7208S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@15V
连续漏极电流:12A€16A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8030
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: