品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8870
工作温度:-55℃~+175℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.16nF@15V
连续漏极电流:21A€160A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8870
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:19A€156A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":477,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8870
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:23A€160A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6284G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:160W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
包装方式:托盘
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6284G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:160W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
包装方式:托盘
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6284G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:160W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8870
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:23A€160A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:160W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6284G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:160W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
包装方式:托盘
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:160W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP47P06
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:160W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJH6284G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:160W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP47P06
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP47P06
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP47P06
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJH6287G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:160W
集电集截止电流(Icbo):1mA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6284G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):20A
功率:160W
集电集截止电流(Icbo):1mA
工作温度:65℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB088N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6595pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB088N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6595pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: