首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    功率
    行业应用
    规格型号(MPN)
    晶体管类型
    直流增益(hFE@Ic,Vce)
    漏源电压
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)
    品牌: ON SEMI
    功率: 160W
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8870

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.16nF@15V

    连续漏极电流:21A€160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8870 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8870 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP8870

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:19A€156A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86250-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86250-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86250-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8870 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8870 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":477,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8870

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:23A€160A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6284G 起订10个装
    onsemi 达林顿管 2N6284G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6284G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:160W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    工作温度:65℃~200℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    包装方式:托盘

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6284G 起订10个装
    onsemi 达林顿管 2N6284G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6284G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:160W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    工作温度:65℃~200℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    包装方式:托盘

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6284G 起订100个装
    onsemi 达林顿管 2N6284G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6284G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:160W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    工作温度:65℃~200℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8870 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8870 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB8870

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:23A€160A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MJH6287G 起订120个装
    onsemi 达林顿管 MJH6287G 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJH6287G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:160W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    特征频率:4MHz

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6284G 起订100个装
    onsemi 达林顿管 2N6284G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6284G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:160W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    工作温度:65℃~200℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    包装方式:托盘

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MJH6287G 起订8个装
    onsemi 达林顿管 MJH6287G 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJH6287G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:160W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    特征频率:4MHz

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    包装方式:管件

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP47P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86250-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86250-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86250-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MJH6287G 起订30个装
    onsemi 达林顿管 MJH6287G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJH6287G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:160W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    特征频率:4MHz

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MJH6284G 起订120个装
    onsemi 达林顿管 MJH6284G 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJH6284G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:160W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    特征频率:4MHz

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP47P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP47P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP47P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 MJH6287G 起订30个装
    onsemi 达林顿管 MJH6287G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJH6287G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:160W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    特征频率:4MHz

    工作温度:65℃~150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    包装方式:管件

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 达林顿管 2N6284G 起订1个装
    onsemi 达林顿管 2N6284G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6284G

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):20A

    功率:160W

    集电集截止电流(Icbo):1mA

    工作温度:65℃~200℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@200mA,20A

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@10A,3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB088N08 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB088N08 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB088N08

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6595pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@75A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB088N08 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB088N08 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB088N08

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6595pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@75A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧