品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":122492,"17+":1290}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:10mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":81000,"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8656-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5402T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8424H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@20V
连续漏极电流:9A€6.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":9204,"04+":605775}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS2101PT1
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@6.4V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5.4A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@16V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":460870,"09+":1480}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@1.5mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):4000@1.5A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1812
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@16V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: