品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5402T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8424H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@20V
连续漏极电流:9A€6.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@16V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":460870,"09+":1480}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@16V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@16V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@16V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@16V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@16V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5443T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5402T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3510H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@40V
连续漏极电流:4.3A€2.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@16V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8424H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@20V
连续漏极电流:9A€6.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@16V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":16346,"08+":15000,"10+":315000,"11+":189000,"14+":3000,"16+":27000,"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5443T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:600mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":460870,"09+":1480}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5445T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:450mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":6670}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":75000,"MI+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"23+":27500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3510H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@40V
连续漏极电流:4.3A€2.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5402T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"23+":27500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3510H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@40V
连续漏极电流:4.3A€2.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"23+":27500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3510H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@40V
连续漏极电流:4.3A€2.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: