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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,其它
生产批次：{"05+"：6000，"06+"：54000，"07+"：30000，"08+"：9000，"11+"：2990，"13+"：3000，"14+"：16000，"17+"：12000，"22+"：12000，"MI+"：18000}
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：3000，"06+"：14725，"08+"：24000，"10+"：33000，"12+"：599083，"13+"：9000，"15+"：9000}
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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生产批次：{"22+"：93000}
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包装方式：卷带（TR）
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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行业应用：工业,其它
生产批次：{"15+"：513000，"17+"：81000}
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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