采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002V
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G-M06
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD5110NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：294mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G-M06
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G-M06
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G-M06
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002V
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD5121NT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
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包装方式：卷带（TR）
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD5121NT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002V
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002V
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G-M06
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002V
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
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输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G-M06
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD5110NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：294mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：321000，"23+"：210000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD5121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@20V
连续漏极电流：295mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD5110NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：294mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD5110NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：294mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
