品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),35W(Tc)
阈值电压:4V @ 130µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
输入电容:2475 pF @ 50 V
连续漏极电流:76A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
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工作温度:-55°C~175°C(TJ)
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栅极电荷:34 nC @ 10 V
输入电容:2475 pF @ 50 V
连续漏极电流:76A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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栅极电荷:34 nC @ 10 V
输入电容:2475 pF @ 50 V
连续漏极电流:76A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 76A,10V
漏源电压:100V
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栅极电荷:34 nC @ 10 V
输入电容:2475 pF @ 50 V
连续漏极电流:76A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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栅极电荷:34 nC @ 10 V
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导通电阻:8.5 毫欧 @ 76A,10V
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栅极电荷:34 nC @ 10 V
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阈值电压:4V @ 130µA
漏源电压:100V
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类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 76A,10V
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