采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7900，"13+"：16000，"14+"：71789，"19+"：24000，"9999"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LN01SS-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2000，"14+"：6000，"17+"：117000，"20+"：10242}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：51000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01S-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：80000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EC4401C-TL
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧，10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧，4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1 NPN，1 PNP - 预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：76000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01SS-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：42464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LP01SS-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.4pF@10V
连续漏极电流：70mA
类型：P沟道
导通电阻：23Ω@40mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5HN01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.2pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"15+"：14742，"18+"：9000}
销售单位：个
类型：N沟道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@1μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：21000，"12+"：33875，"15+"：204000，"16+"：15000，"17+"：57000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5HP01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.2pF@10V
连续漏极电流：70mA
类型：P沟道
导通电阻：22Ω@40mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：12000，"14+"：42000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.4pF@10V
连续漏极电流：70mA
类型：P沟道
导通电阻：23Ω@40mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：765000，"15+"：63000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5HP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.2pF@10V
连续漏极电流：70mA
类型：P沟道
导通电阻：22Ω@40mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"22+"：15000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"22+"：102000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，10V€80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：57000，"14+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：113686}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LN01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：57000，"14+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1414718，"14+"：6000，"18+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧，10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧，4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1 NPN，1 PNP - 预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3300，"11+"：6000，"16+"：30000，"17+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5HN01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.2pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF2201NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
